「広帯域メモリー(HBM)の父」と呼ばれる韓国科学技術院(KAIST)電機・電子工学部の金禎浩(キム・ジョンホ)教授が10年以内に広帯域フラッシュ(HBF)の時代が開かれるだろうと予想した。HBMが速度を担当し、HBFが容量を引き受ける「メモリー中心」の人工知能(AI)時代が到来するだろうと分析される。
金教授は3日にソウルプレスセンターで開かれた発表会で、「HBMだけではAIの発展スピードに追いつけない。もっと大きな容量の新しいメモリーが必要だ。2038年ごろにHBF需要がHBMを超えるだろう」と話した。テキスト、イメージ、映像、音声など多様な情報を同時に処理するマルチモーダルAIの拡散で演算需要が急増し、HBMの容量だけでは限界があるということだ。
HBMが揮発性メモリーであるDRAMを垂直に積んだ構造ならば、HBFは非揮発性メモリーであるNAND型フラッシュを積層する方式だ。速度はHBMより遅いが容量は約10倍大きい。金教授は「試験を受ける時に本棚(HBM)はすぐそばから早く取り出して使えて、図書館(HBF)ははるかに多くの情報を含んでいる。HBFは速度より大容量が強み」と説明した。
金教授はHBF市場もサムスン電子とSKハイニックスなど韓国企業が主導権を握る可能性が大きいと予想した。HBFは積層技術の側面でHBM工程を相当部分活用できる。米サンディスクや日本のキオクシアなどNAND型フラッシュ専門企業も恩恵を受けるとみられるが、HBM生産とパッケージング能力をいずれも備えた韓国企業よりは競争力が落ちると分析される。特にファウンドリー(半導体委託生産)工場も保有し、ベース部分の製作が可能なサムスン電子の潜在力が大きいと評価した。
ただ技術的課題も残っている。HBFはNAND型フラッシュ基盤で書き込み回数に制限がありデータ損失の可能性が存在する。同じ紙に文字を書き続けて消すとすり減るのと似た原理だ。金教授は「書き込み寿命を画期的に増やす技術が必要だ」と話した。
金教授はHBF商用化の時期を2027年末～2028年と予想した。SKハイニックスは来年の量産を目標に開発を進行中で、サムスン電子も内部的にHBFの独自開発を進めているという。サンディスクは昨年7月にHBF技術諮問委員会を設けて競争に加わった。金教授は「HBMに続きHBFでも韓国のメモリーメーカーが主導権を握ってこそAI市場で影響力を維持できる」と強調した。
2026/02/04 07:20
https://japanese.joins.com/JArticle/344340